个人简历：
多年海外工作经历和丰富的企业、研究所、高校工作经验，长期从事新型半导体材料与器件的基础科学、工程技术和产业应用领域的创新探索研究。研究内容主要包括第三代半导体碳化硅/氮化镓和第四代半导体氧化镓的外延生长与掺杂机制、芯片设计与模拟仿真、芯片制备与模块集成，包括研制一系列平面与沟槽SBD/MOSFET/HEMT功率器件和SBD/MSM/PN/PIN/APD(雪崩二极管)光电器件。受邀撰写碳化硅材料与器件英文专著章节，已在Nature Physics、Advanced Sciences、Energy Storage Materials、IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Electron Devices、Applied Physics Letters等国际知名学术期刊和会议上发表论文百余篇，申请发明专利十余项，其中部分专利实现产业转化。
课题组诚邀：助理教授、博士后、科研助理、博士生(含在职)、硕士生加盟。
课题组主页：http://team.xmu.edu.cn/XMU_PSL/zh_CN/index.htm
学历：
已满18从此进入伊犁园 学士和博士
新加坡南洋理工大学 博士后
新加坡国立大学 博士后
新加坡科技研究局 科学家
研究方向：
宽禁带半导体(氧化镓、碳化硅、氮化镓等)及其功率器件和光电子器件
主讲课程：
《微电子制造科学原理》、《宽禁带半导体材料与器件》
学术兼职：
Springer Nature、IEEE、AIP、ACS、RSC、Elsevier、Wiley旗下40余个国际知名学术期刊特邀审稿人
成果奖励：
福建省“*专百*计划”人才
福建省引进海外高层次人才
福建省闽江学者奖励计划
厦门市引进海外高层次人才
厦门“双百计划”创新人才
新加坡科技研究局专题报道
入选新加坡南洋莆仙人物志
课题项目：
主持或承担科研项目总经费逾五千万：
企业委托研发项目，车规级第三代半导体功率芯片研制，500万，2024.05-2029.04
厦门市双百计划创新项目，第四代半导体氧化镓功率器件研究，50万，2023.01-2025.12
福厦泉国家自主创新示范区协同创新平台项目，化合物半导体技术研究，200万，2023.01-2025.12
国家自然科学基金项目，常关型氧化镓异质结晶体管研究，56万，2022.01-2024.12
企业委托研发项目，碳化硅电力电子器件及装置，100万，2021.06-2023.05
福建省高层次人才项目，第三代半导体器件研究，200万，2021.01-2025.12
福建省引才引智计划项目，第三代半导体功率器件研究，20万，2021.01-2022.06
新加坡国家重大项目，新一代半导体材料与器件，3700万，2016.01-2020.12
新加坡经济发展局(EDB)和美国DuPont公司联合项目，420万，硅基太阳电池研究, 2010.01-2012.12
新加坡教育部项目，宽禁带半导体氧化物外延生长及特性研究，2010.07-2012.06
国家省市科学基金项目，碳化硅(4H-SiC)材料与光电器件(SBD、MSM、PIN、APD)，2005.09-2014.12
代表作：
[1] Zifan Hong, Weifeng Yang* et al., Low Turn-on Voltage and Reverse Leakage Current β-Ga2O3 MIS Schottky Barrier Diode with an AlN Interfacial Layer, IEEE Transactions on Electron Devices, Revision submitted (2024).
[2] Xiaofeng Ye, Weifeng Yang* et al., Trench Beside Field Limiting Rings Terminal for Improved 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes: Proposal and Investigation, Microelectronics Reliability, Revision submitted (2024).
[3] Huihuang Ke, Weifeng Yang* et al., High-performance 8×8 4H-SiC-Based MISIM Photodetector Arrays for UV Imaging, IEEE Photonics Technology Letters 36, 239-242 (2024).
[4] Jialong Lin, Weifeng Yang* et al., High Responsivity Self-Powered Solar-Blind Photodetectors Based on Magnetron Sputtered CuCrO2/β-Ga2O3 p-n Heterojunction, IEEE Transactions on Electron Devices, DOI 10.1109/TED.2024.3373382 (2024).
[5] Xinwei Wang, Weifeng Yang* et al., Simultaneous Electric Dipoles and Flat-band Voltage Modulation in 4H-SiC MOS Capacitors through HfO2/SiO2 Interface Engineering, Journal of Physics D: Applied Physics, Revision submitted (2024) .
[6] Ze Yang, Weifeng Yang* et al., Lowering Schottky Barrier Height by Quasi-van Der Waals Contacts for High-performance P-type MoTe2 Field-Effect Transistors, ACS Applied Materials & Interfaces, Accepted (2024) .
[7] Chuanlun Zhang Weifeng Yang* et al., High-Performance β-Ga2O3 MISIM Solar-Blind Photodetectors with An Interfacial AlN Layer, IEEE Photonics Technology Letters, 36, 593-596 (2024).
[8] Chengyi Tian, Weifeng Yang* et al., Effect of Oxygen Precursors on Growth Mechanism in High-quality β-Ga2O3 Epilayers on Sapphire by Molecular Beam Epitaxy and Related Solar-blind Photodetectors, IEEE Sensor Journal, DOI 10.1109/JSEN.2024.3373252 (2024).
[9] Jinyong Wang, Weifeng Yang* et al., Synergistically Modulating Conductive Filaments in Ion-Based Memristors for Enhanced Analog In-Memory Computing, Advanced Science 2309538, 1-12 (2024).
[10] Jie Zhang*, Weifeng Yang* et al., Self-aligned ionic doping of TiO2 thin film transistors for enhanced current drivability via post-fabrication superacid treatment, ACS Applied Materials & Interfaces, Revision submitted (2024).
[11] Science China Materials 65, 741-747 (2022). (JCR一区，TOP期刊，IF: 8.2)
[12] Energy Storage Materials 23, 1-7 (2019). (JCR一区，TOP期刊，IF: 20.8)
[13] Nano Energy 56, 269-276 (2019). (JCR一区，TOP期刊，IF: 19.0)
[14] Journal of Materials Chemistry A 7, 13339-13346 (2019). (JCR一区，TOP期刊，IF: 14.5)
[15] Nature Physics 15, 347-351 (2019). (JCR一区，TOP期刊，IF: 19.6)
[16] ACS Nano 12, 2506−2513 (2018). (JCR一区，TOP期刊，IF: 18.0)
[17] Nano Energy 49, 588-595 (2018). (JCR一区，TOP期刊，IF: 19.0)
[18] Nanoscale 10, 22927-22936 (2018). (JCR一区，TOP期刊，IF: 8.3)
[19] Nanoscale 10, 20113-20119 (2018). (JCR一区，TOP期刊，IF: 8.3)
[20] Applied Physics Letters 112, 171604 (2018). (JCR二区，TOP期刊，IF: 3.9)
[21] Advanced Materials 27, 6208–6212 (2015). (JCR一区，TOP期刊，IF: 32.0)
[22] Applied Physics Letters 102, 111901 (2013). (JCR二区，TOP期刊，IF: 3.9)
[23] Applied Physics Letters 98, 121903 (2011). (JCR二区，TOP期刊，IF: 3.9)
[24] IEEE Electron Device Letters 32, 530 (2011). (JCR二区，TOP期刊，IF: 4.8)
[25] IEEE Electron Device Letters 31, 588 (2010). (JCR二区，TOP期刊，IF: 4.8)
[26] Applied Physics Letters 97, 061911 (2010). (JCR二区，TOP期刊，IF: 3.9)
[27] Applied Physics Letters 97, 061104 (2010). (JCR二区，TOP期刊，IF: 3.9)
[28] Applied Physics Letters 92, 251102 (2008). (JCR二区，TOP期刊，IF: 3.9)
[29] Applied Physics Letters 97, 081107 (2010). (JCR二区，TOP期刊，IF: 3.9)
[30] Applied Physics Letters 96, 031902 (2010). (JCR二区，TOP期刊，IF: 3.9)
专利：
[1] 杨伟锋，帅浩 张明昆 | 一种常关型氧化镓基MIS-HFET器件 中国专利申请号：202110493226.X （已授权）
[2]杨伟锋，帅浩 | 一种具有盖帽层的常开型氧化镓基HFET器件及其制备方法 | 中国专利申请号：202110493226.X
[3] 杨伟锋，帅浩，张保平 | 一种δ掺杂的常关型氧化镓基MIS-HMET器件及其制备方法 | 中国专利申请号：202110493226.X
[4] 杨伟锋，林嘉隆等 |一种高响应度自供电日盲光电探测器及其制备方法 | 主要发明者：中国专利申请号：202410021349.7
[5]杨伟锋，翁宏锦等 |一种基于负压关断技术的SiC MOSFET串扰抑制电路 | 中国专利申请号：
[6] 杨伟锋，陈祖岗，翁宏锦，石紫亮 | 一种基于自适应模糊控制的光伏逆变控制器 | 中国专利申请号：
[7] 杨伟锋，王鑫炜，冶晓峰，龙明涛 | 一种含稀土栅介质层的超结SiC MOSFET及其制造方法 | 中国专利申请号：202310089969.X
[8] 杨伟锋，冶晓峰，王懿锋，王鑫炜 | 一种用于SiC功率器件的复合终端结构及其制造方法 | 中国专利申请号：202211743085.3
[9] 杨伟锋，冶晓峰，王懿锋，王鑫炜 | 一种用于SiC功率器件的阶梯状复合终端结构及其制造方法 | 中国专利申请号：202211743100.4
[10] 杨伟锋，王鑫炜，冶晓峰，龙明涛 | 一种含稀土栅介质层的平面型SiC MOSFET及其制造方法 | 中国专利申请号：202310089961.3
